Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Siliziumdioxidätzung — silicio dioksido ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon dioxide etching vok. Siliziumdioxidätzung, f rus. травление диоксида кремния, n pranc. décapage de dioxyde de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
décapage de dioxyde de silicium — silicio dioksido ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon dioxide etching vok. Siliziumdioxidätzung, f rus. травление диоксида кремния, n pranc. décapage de dioxyde de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
silicio dioksido ėsdinimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon dioxide etching vok. Siliziumdioxidätzung, f rus. травление диоксида кремния, n pranc. décapage de dioxyde de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-dioxide etching — silicio dioksido ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon dioxide etching vok. Siliziumdioxidätzung, f rus. травление диоксида кремния, n pranc. décapage de dioxyde de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Кремний — 14 Алюминий ← Кремний → Фосфор … Википедия
Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… … Википедия
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог … Википедия
